При вдыхании 3-амино-5-меркапто-1,2, 4-триазола, выведите пациента на свежий воздух; в случае попадания на кожу снять загрязненную одежду и тщательно промыть кожу водой с мылом. Если вы чувствуете дискомфорт, обратитесь к врачу; если у вас есть прямой контакт с глазами, разделите веки, промойте проточной водой или физиологическим раствором и немедленно обратитесь за медицинской помощью; при проглатывании немедленно прополощите горло, не вызывайте рвоту и немедленно обратитесь за медицинской помощью.

Используется для приготовления раствора для очистки фоторезиста.

В обычном процессе производства светодиодов и полупроводников маска из фоторезиста формируется на поверхности некоторых материалов, а рисунок переносится после экспонирования. После получения необходимого рисунка остаточный фоторезист необходимо удалить перед следующим процессом. В этом процессе необходимо полностью удалить ненужный фоторезист, не разъедая подложку. В настоящее время очищающий раствор фоторезиста в основном состоит из полярного органического растворителя, сильной щелочи и / или воды и т. Д. Фоторезист на полупроводниковой пластине можно удалить, погрузив полупроводниковый чип в очищающую жидкость или промыв полупроводниковый чип очищающей жидкостью. .

Был разработан новый тип очищающего раствора для фоторезиста, который представляет собой неводное моющее средство с низким уровнем травления. Он содержит: спирт-амин, 3-амино-5-меркапто-1,2,4-триазол и сорастворитель. Этот вид раствора для очистки фоторезиста можно использовать для удаления фоторезиста из светодиодов и полупроводников. В то же время он не имеет агрессивного воздействия на подложку, например металлический алюминий. Более того, система обладает высокой водонепроницаемостью и расширяет рабочее окно. Он имеет хорошие перспективы применения в области очистки светодиодов и полупроводниковых кристаллов.